Fechar

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Siteplutao.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP3W/3KN358T
Repositóriosid.inpe.br/plutao/2015/12.04.14.06.25
Última Atualização2015:12.11.16.14.25 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/plutao/2015/12.04.14.06.26
Última Atualização dos Metadados2021:07.28.21.37.56 (UTC) administrator
DOI10.17563/rbav.v34i3.989
ISSN0101-7659
Rótulolattes: 3894119234731870 4 AmaralJrSilFerBelBal:2015:MoEvPo
Chave de CitaçãoAmaralJrSilFerBelBal:2015:MoEvPo
TítuloMorphological evolution of the porous silicon surface for different etching time and current density in hf-ethanol solution
Ano2015
Data de Acesso19 maio 2024
Tipo de Trabalhojournal article
Tipo SecundárioPRE PN pn
Número de Arquivos1
Tamanho1728 KiB
2. Contextualização
Autor1 Amaral Junior, Miguel Angelo do
2 Silva, Belchior Elton Lima da
3 Ferreira, Neidenêi Gomes
4 Beloto, Antonio Fernando
5 Baldan, Maurício Ribeiro
Identificador de Curriculo1
2
3 8JMKD3MGP5W/3C9JHU3
4 8JMKD3MGP5W/3C9JGJ8
5 8JMKD3MGP5W/3C9JHTA
Grupo1 CMS-ETES-SPG-INPE-MCTI-GOV-BR
2
3 LAS-CTE-INPE-MCTI-GOV-BR
4 LAS-CTE-INPE-MCTI-GOV-BR
5 LAS-CTE-INPE-MCTI-GOV-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Endereço de e-Mail do Autor1 miguel.amaral@las.inpe.br
2
3 neidenei.ferreira@inpe.br
4 antonio.beloto@inpe.br
5 mauricio.baldan@inpe.br
RevistaRevista Brasileira de Aplicações de Vácuo
Volume34
Número3
Páginas89
Histórico (UTC)2015-12-04 15:38:16 :: lattes -> administrator :: 2015
2021-07-28 21:37:56 :: administrator -> simone :: 2015
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-ChavePorous Sillicon
Photoluminescence
Scanning electron microscopy
ResumoPorous silicon samples were obtained by the anodization etching process of a n-type silicon wafer. The pores formation was investigated taking into account the anodization time. Scanning Electron Microscopy and Optical Profilometry were used to characterize the morphology, pore size, pore depth, thickness, roughness, surface area and also the morphological evolution of porous silicon layer. The formed porous silicon layer showed a tendency to increase the pore size, pore depth, roughness and surface area as a function of the etching time. The porous silicon was obtained at different etching times and at a fixed current density. The experimental results showed that the porosity of the porous silicon prepared under different anodization times can be controlled.
ÁreaFISMAT
Arranjo 1urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Morphological evolution of...
Arranjo 2urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção pgr ATUAIS > CMS > Morphological evolution of...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP3W/3KN358T
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/8JMKD3MGP3W/3KN358T
Idiomaen
Grupo de Usuáriosadministrator
lattes
self-uploading-INPE-MCTI-GOV-BR
simone
Grupo de Leitoresadministrator
simone
Visibilidadeshown
Política de Arquivamentoallowpublisher allowfinaldraft
Permissão de Leituraallow from all
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
VinculaçãoTrabalho não Vinculado à Tese/Dissertação
Repositório Espelhourlib.net/www/2011/03.29.20.55
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
8JMKD3MGPCW/3F358GL
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.56.52 2
sid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.56.32 1
DivulgaçãoPORTALCAPES
Acervo Hospedeirodpi.inpe.br/plutao@80/2008/08.19.15.01
6. Notas
NotasSetores de Atividade: Pesquisa e desenvolvimento científico.
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel e-mailaddress format isbn lineage mark month nextedition orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey secondarymark session shorttitle sponsor subject targetfile tertiarytype url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)simone
atualizar 


Fechar